Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RRS100P03HZGTB
PCH -30V -10A POWER MOSFET. RRS1
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RRS100P03
RRS100P03HZGTB Hakkında
RRS100P03HZGTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel güç MOSFET'idir. 30V drain-source voltaj (Vdss) ve 10A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun bir bileşendir. 12.6mOhm maksimum on-state direnç (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 8-SOP yüzey montajlı paket ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. ±20V maksimum gate-source voltaj toleransı ve 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı, çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılabilir. Özellikle invertör, motor kontrol ve güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok