Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RRQ030P03HZGTR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RRQ030P03HZ

RRQ030P03HZGTR Hakkında

RRQ030P03HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 3A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (TSMT6) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (5.2 nC @ 5V) ve optimize edilmiş RDS(on) değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 950mW güç hızı yayılımı kapasitesine sahiptir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 1.5A, 4V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok