Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RRQ020P03TCR
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RRQ020P03T
RRQ020P03TCR Hakkında
RRQ020P03TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 2A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 160mΩ maximum RDS(on) değeri düşük geçiş kayıpları sağlar. 10V gate voltajında optimal performans gösterir. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paket, kompakt uygulamalar için uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. ±20V gate-source voltaj toleransı ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok