Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RRL025P03FRATR

MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
RRL025P03FR

RRL025P03FRATR Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RRL025P03FRATR, P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olarak tasarlanmıştır. 30V drain-source voltajı ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 75mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 6-SMD yüzey montaj paketine sahip olan bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, LED sürücülerinde ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklılık sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TUMT6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok