Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RRH100P03G
RRH100P03GZETB Hakkında
RRH100P03GZETB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOP yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 12.6mOhm on-dirençi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Düşük gate yükü (68nC @ 10V) sayesinde sürücü devrelerinin tasarımını basitleştirir. Güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yük yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında 650mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 650mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok