Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RRH090P03GZETB

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
RRH090P03GZETB

RRH090P03GZETB Hakkında

RRH090P03GZETB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 15.4mΩ iç direnç (Rds On) ile çalışır. ±20V maksimum gate gerilim ve 2.5V eşik gerilimi özelliklerine sahiptir. Gate yükü 56nC, giriş kapasitansi 3000pF'dir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 650mW güç tüketebilir. Güç yönetimi, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük gerilim elektronik sistemlerinde kullanılır. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.4mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok