Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RRF015P03GTL

MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
RRF015P03G

RRF015P03GTL Hakkında

RRF015P03GTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.5A sürekli dren akımı (Id) özellikleriyle çalışır. 160mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6.4nC gate charge ve 230pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. TUMT3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, ±20V maksimum gate-source geriliminde çalışabilir. Geri dönüş kontrolü, power management devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TUMT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok