Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQK0609CQDQS#H1
MOSFET N-CH 60V 4A UPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQK0609CQDQS
RQK0609CQDQS#H1 Hakkında
RQK0609CQDQS#H1, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. RDS(on) değeri 4.5V gate geriliminde 100mOhm olup, düşük iletim direnci gerektiren uygulamalarda kullanılmaya uygundur. TO-243AA (UPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Maksimum ±12V gate gerilimi ve 150°C işletme sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. 1.5W maksimum güç tüketim kapasitesi kompakt tasarımlar için ekonomik bir çözüm sunar. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | UPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok