Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQK0607AQDQS#H1
MOSFET N-CH 60V 2.4A UPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQK0607AQDQS
RQK0607AQDQS#H1 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RQK0607AQDQS#H1, 60V drain-source voltajı ve 2.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. UPAK (TO-243AA) yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, 270mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 4.5V gate sürüş voltajında çalışan transistör, endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve basılı devre kartlarında kullanılır. Maksimum 1.5W güç saçma kapasitesi, 2nC gate charge ve 170pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. ±12V maksimum gate-source voltajı ile geniş çalışma aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | UPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok