Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQJ0303PGDQA#H6
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQJ0303
RQJ0303PGDQA#H6 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RQJ0303PGDQA#H6, 30V drain-source gerilimi ile çalışan bir P-Channel MOSFET'tir. 3.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 68mOhm maksimum On-Resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan komponent, analog anahtarlama devrelerinde, güç dağıtım ağlarında ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilen cihaz, 12nC gate charge ve 625pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 3-MPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok