Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQA0011DNS#G0
MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 3-DFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQA0011DNS
RQA0011DNS#G0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RQA0011DNS#G0, N-Channel MOSFET türü bir yarıiletken transistördür. 16V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.8A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahip olup, 2HWSON (5x4mm) yüzey montajlı paket içerisinde sunulmaktadır. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilen ve maksimum 15W güç tüketiminde tasarlanan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 102pF giriş kapasitansi (Ciss) ve 750mV eşik gerilimi (Vgs(th)) ile düşük güç kontrolü gerektiren devrelerde yer alabilir. 3-DFN Exposed Pad paket yapısı, ısıl yönetimi desteklemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 102 pF @ 0 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 3-DFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Supplier Device Package | 2-HWSON (5x4) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok