Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQA0002DNSTB-E
MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 3-DFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQA0002DNSTB
RQA0002DNSTB-E Hakkında
RQA0002DNSTB-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 16V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. 2-HWSON (5x4mm) yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu transistör, 750mV kapı-kaynak eşik gerilimi ve 102pF giriş kapasitansı özellikleri ile düşük sinyal seviyesi kontrol devrelerinde ve PWM anahtarlama uygulamalarında çalışabilir. Maksimum 15W güç tüketim kapasitesi ile motor kontrolü, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde tercih edilen bir bileşendir. Çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilen bu transistör, kompakt tasarımlar için uygun bir seçenektir. Not: Bu ürün Renesas Electronics tarafından üretimi durdurulmuş (obsolete) bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 102 pF @ 0 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 3-DFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Supplier Device Package | 2-HWSON (5x4) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok