Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ7G080BGTCR
NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ7G080BG
RQ7G080BGTCR Hakkında
RQ7G080BGTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajı ve 8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate voltajda 16.5mΩ on-direnci sağlar. TSMT8 paketinde surface mount olarak sunulan bu bileşen, PWM kontrolörleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlamaya dayalı güç uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ile geniş uygulamalar için uygun olup, 150°C'ye kadar sıcaklık dayanımı vardır. Düşük on-direnci verimli anahtarlama ve minimal ısıl kayıp sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok