Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ7G080ATTCR
PCH -40V -8A SMALL SIGNAL POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ7G080AT
RQ7G080ATTCR Hakkında
RQ7G080ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 18.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kapalı durum direnci sağlar. Surface mount TSMT8 paketlemesi ile kompakt elektronik devrelerde yer alır. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2060 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.2mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok