Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ7E110AJTCR
MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ7E110AJ
RQ7E110AJTCR Hakkında
RQ7E110AJTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9mOhm düşük on-direnç (RDS On) değeriyle enerji kaybını minimize eder. TSMT8 yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, LED sürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 4.5A, 11V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok