Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ7E100ATTCR
MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ7E100ATT
RQ7E100ATTCR Hakkında
RQ7E100ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnci (11.2mOhm @ 10V, 10A) ile verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TSMT8 (8-pin SMD, flat lead) yüzey montajlı pakette sunulan cihaz, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilir. 53nC gate charge ve 2370pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtar geçişleri sağlar. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motorlu uygulamalar ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2370 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok