Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ7E055ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ7E055ATT
RQ7E055ATTCR Hakkında
RQ7E055ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 5.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 24.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip olup, 10V sürücü geriliminde optimal performans gösterir. TSMT8 SMD paket ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığında çalışan endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Anahtarlama devrelerine, güç yönetimi ve kontrol sistemlerine uygun bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24.5mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok