Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RQ6P015SPTR

MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RQ6P015SP

RQ6P015SPTR Hakkında

RQ6P015SPTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (TSMT6) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 470mOhm (10V, 1.5A) on-resistance değerine sahiptir. ±20V maksimum gate-source voltaj aralığında çalışan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük sinyal kontrolü için kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 600mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 322nC gate charge ve 950pF input capacitance parametreleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 470mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok