Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RQ6L035ATTCR

PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RQ6L035AT

RQ6L035ATTCR Hakkında

RQ6L035ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. -60V drain-source voltaj ve 3.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 78mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Bu komponentin maksimum 950mW güç saçılması kapasitesi ve ±20V gate voltaj aralığı ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılabilir. 150°C'ye kadar çalışabilmesi geniş sıcaklık uygulamalarına uygunluğunu gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok