Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6L020SPTCR
MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6L020SP
RQ6L020SPTCR Hakkında
RQ6L020SPTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 2A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarım gerektiren devrelere entegre edilebilir. 210mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında endüstriyel ve tüketici uygulamalarında, güç yönetimi, motor kontrolü ve aydınlatma sistemlerinde yer alır. ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve düşük gate charge değeri (7.2nC) ile hızlı komütasyon özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok