Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6G050ATTCR
PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6G050ATT
RQ6G050ATTCR Hakkında
RQ6G050ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel power MOSFET'tir. 40V drain-source voltajı ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 40mOhm on-resistance (Rds On) değerine sahip olup, anahtarlama hızı ve verimlilik açısından optimize edilmiştir. Complemen hızlı kapanma ve açılma özellikleri sayesinde DC/DC dönüştürücüleri, power management devrelerinde ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. SOT-23-6 paketinde sunulan bu transistör, kompakt tasarımlı elektronik cihazlara entegre edilebilir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok