Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6E085BNTCR
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6E085B
RQ6E085BNTCR Hakkında
RQ6E085BNTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 8.5A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 14.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, power management, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok