Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6E080AJTCR
MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6E080AJ
RQ6E080AJTCR Hakkında
RQ6E080AJTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 8A sürekli drenaj akımı (Id) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri (16.5mΩ @ 8A, 4.5V) sayesinde güç kaybını minimize eder. SOT-23-6 SMD paket ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında ve 950mW güç dissipasyonunda çalışır. Güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüsü ve anahtarlama regülatör devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±12V kapı gerilimi toleransı ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1810 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok