Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6E055BNTCR
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6E055BNT
RQ6E055BNTCR Hakkında
RQ6E055BNTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile 5.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 25mΩ on-direncine (Rds On) sahiptir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 1.25W güç dağılım kapasitesi ile anahtarlama uygulamaları, düşük voltaj DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve genel amaçlı dijital lojik kontrol devrelerinde kullanıma uygundur. 8.6nC gate charge ve 355pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlamaya izin verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 355 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok