Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6E050ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6E050AT
RQ6E050ATTCR Hakkında
RQ6E050ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ile 5A sürekli drain akımı sağlayan bu komponentin RDS(on) değeri 10V gate voltajında 27mOhm'dur. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 150°C'ye kadar çalışabilir ve maksimum 1.25W güç dağıtabilir. Gate threshold voltajı 2.5V olup, ±20V gate voltaj toleransına sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, DC motor kontrolü, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. Düşük on-direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok