Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6E050AJTCR
MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6E050AJ
RQ6E050AJTCR Hakkında
RQ6E050AJTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile kompakt uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 35mOhm maksimum Rds(On) değeri düşük kayıp işlemesi sağlar. 4.5V gate voltajında 4.7nC gate charge ve 520pF input capacitance sahiptir. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paket ile küçük form faktörlü cihazlara entegre edilebilir. -40°C ile 150°C (junction temperature) çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve boost/buck konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 950mW maksimum güç tüketimi ile enerjisini verimli şekilde yönetir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok