Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RQ6E045TNTR

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RQ6E045TN

RQ6E045TNTR Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RQ6E045TNTR, N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source geriliminde 4.5A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-resistance (43mΩ @ 4.5V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. SOT-23-6 paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, LED sürücüleri, anahtarlama devreleri ve portable elektronik cihazlarda DC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 950mW güç dağıtabilir. ±12V gate gerilimi aralığında çalışır ve 10.7nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok