Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RQ6E045SNTR

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RQ6E045SN

RQ6E045SNTR Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RQ6E045SNTR, N-Channel MOSFET olarak tasarlanmış bir yarıiletken transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile 4.5A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 38mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paketleme ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen bu bileşen, 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenilir operasyon sağlar. Düşük kapı yükü (9.5nC @ 5V) ve giriş kapasitanı (520pF @ 10V) özelliğiyle hızlı anahtarlama gerektiren DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok