Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6E040XNTCR
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6E040XNT
RQ6E040XNTCR Hakkında
RQ6E040XNTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı ile çalışır. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 50mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük geçiş kayıpları sağlar. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 950mW güç tüketebilir. Kapı yükü 3.3nC ve giriş kapasitesi 180pF olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Elektrik arabalar, endüstriyel kontrol devreleri, AC/DC konvertörler ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok