Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6E035ATTCR
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6E035AT
RQ6E035ATTCR Hakkında
RQ6E035ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 3.5A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı işletme sağlar. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dağıtımında ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir. 1.25W güç tüketim kapasitesi ile küçük form faktörlü uygulamalar için uygundur. Düşük gate charge (10nC) karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok