Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6E030SPTR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6E030SP
RQ6E030SPTR Hakkında
RQ6E030SPTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük kapı yükü (6nC @ 5V) ile hızlı komütasyon sağlar. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu MOSFET, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığını destekler ve pil yönetim devreleri, DC-DC konvertörler, enerji hasat sistemleri ve güç dağıtım uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok