Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6E030ATTCR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6E030ATT
RQ6E030ATTCR Hakkında
RQ6E030ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-6 yüzey monte pakajında sunulur. 91mOhm RDS(on) değeri ve 2.5V kapı eşik gerilimi ile düşük güç kaybı sağlayan uygulamalarda kullanılır. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi, load switch uygulamaları ve portable cihazlarda yaygın olarak tercih edilir. 5.4nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok