Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ6C050UNTR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ6C050UN
RQ6C050UNTR Hakkında
RQ6C050UNTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 30mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montaj paketinde sunulur. Voltaj regülatörleri, DC-DC konvertörleri, yük anahtarlaması, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir ve 1.25W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok