Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RQ5H020SPTL

MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3

Paket/Kılıf
SC-96
Seri / Aile Numarası
RQ5H020SP

RQ5H020SPTL Hakkında

RQ5H020SPTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 45V drain-source gerilim (Vdss) ve 2A sürekli drenaj akımı (Id) ile tasarlanmıştır. SC-96 (TSMT3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 190mOhm on-state direncine (RDS on) sahiptir. ±20V maksimum gate-source gerilimi (Vgs) ile çalışabilen transistör, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında kullanılabilir. 9.5nC gate yükü ve 500pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve düşük güç uygulamalarında kullanılan bu MOSFET, 540mW maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-96
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TSMT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok