Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3P300BHTB1
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3P300
RQ3P300BHTB1 Hakkında
RQ3P300BHTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 39A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN (HSMT8) paketinde sunulan bu bileşen, 15.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate voltajı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok