Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3P300BETB1
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3P300
RQ3P300BETB1 Hakkında
RQ3P300BETB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj derecelendirilmesi ile 10A (Ta) veya 36A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlar. 8-PowerVDFN (3.2x3mm) yüzey monte paketi ile kompakt çözümler sunar. 21mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde verimli çalışmayı sağlar. 19.1nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. ±20V gate voltaj aralığı, 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 32W (Tc) güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlı güç kaynakları gibi alanlarda uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok