Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3L090GNTB
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3L090G
RQ3L090GNTB Hakkında
RQ3L090GNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı (Ta) / 30A (Tc) özelliklerine sahiptir. 8-PowerVDFN (3.2x3mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (13.9mOhm @ 9A, 10V) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. ±20V Gate-Source gerilim toleransı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile geniş çalışma aralığına sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve yüksek hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel sistemlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok