Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3L070ATTB
PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3L070AT
RQ3L070ATTB Hakkında
RQ3L070ATTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında ve 25A sürekli akım kapasitesinde çalışan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 28mOhm'luk düşük on-resistance (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 8-pin HSMT (3.2x3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -150°C'ye kadar yüksek sıcaklıkta stabil performans gösterir. MOSFET teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. DC-DC dönüştürücüler, güç amplifikatörleri, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok