Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3L050GNTB
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3L050G
RQ3L050GNTB Hakkında
RQ3L050GNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 61mOhm maksimum gate kapalı direnci ile düşük kayıp uygulamaları destekler. 8-PowerVDFN (8-HSMT) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar ulaşabilen bu transistör, 4.5V ve 10V sürüş geriliminde optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 14.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok