Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3G150GNTB
MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3G150
RQ3G150GNTB Hakkında
RQ3G150GNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 39A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 7.2mOhm on-direnci (10V gate voltajında) düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-HSMT paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 20W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama ve verimli güç iletimi gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok