Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3G110ATTB
PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3G110A
RQ3G110ATTB Hakkında
RQ3G110ATTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim aralığında çalışan bu komponente, maksimum 35A drain akımı (Tc) kapasitesi bulunmaktadır. 8-pin PowerVDFN (HSMT8) yüzey montajlı paket tasarımıyla küçük form faktöre sahiptir. Tipik uygulamalarda güç kaynakları, motor kontrolü, yük anahtarlaması ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 12.4mΩ max RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2750 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok