Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3G100GNTB
MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3G100
RQ3G100GNTB Hakkında
RQ3G100GNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. 14.3mΩ (10A, 10V) RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Surface Mount 8-HSMT paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında güvenli çalışır ve 2W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 615 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.3mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok