Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3E180B
RQ3E180BNTB Hakkında
RQ3E180BNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 39A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.9mΩ on-direnci (10V gate geriliminde, 18A'de) ile verimli çalışma sağlar. 8-PowerVDFN (3.2x3mm) Surface Mount paketinde sunulur. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponentin maksimum 37nC gate yükü ve düşük input kapasitansı (3500pF @ 15V) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok