Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3E180AJTB
MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3E180A
RQ3E180AJTB Hakkında
RQ3E180AJTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 25°C'de 18A, junction sıcaklığında 30A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface mount 8-PowerVDFN (3.2x3mm) paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. ±12V gate gerilimi aralığında çalışan bileşen, 150°C işletme sıcaklığına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4290 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 18A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 11mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok