Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3E160ADTB1
NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3E160A
RQ3E160ADTB1 Hakkında
RQ3E160ADTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 4.5mΩ düşük RDS(on) değeri ile verimli güç kontrolü sağlar. 10V gate geriliminde 51nC gate charge'ı hızlı anahtarlama özelliği sunar. Surface mount 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu MOSFET, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri, elektrik şarj sistemleri ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok