Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3E120A
RQ3E120ATTB Hakkında
RQ3E120ATTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 30V Vdss derecelendirmesi ve 12A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlaması ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kayıpları sağlar. 8-PowerVDFN (8-HSMT 3.2x3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 150°C maksimum işletme sıcaklığında ve ±20V Vgs aralığında çalışır. Yüksek frekanslı switching uygulamaları, DC-DC dönüştürücüleri, pil yönetimi devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 62nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok