Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3E110AJTB
MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3E110A
RQ3E110AJTB Hakkında
RQ3E110AJTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 11A (Ta) / 24A (Tc) sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 11.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybına sahiptir. 8-PowerVDFN (8-HSMT 3.2x3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve yakın aralıklı güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. ±12V maksimum gate-source voltajı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 11A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok