Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3E100A
RQ3E100ATTB Hakkında
RQ3E100ATTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim desteği ile 10A sürekli drain akımı (Ta=25°C) kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 11.4mΩ on-direnci ve 42nC gate charge özellikleriyle güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Maksimum 2W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalarda tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok