Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3E080GNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3E080G
RQ3E080GNTB Hakkında
RQ3E080GNTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama görevi yapar. 16.7mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile verimli enerji yönetimi sağlar. 8-PowerVDFN (3.2x3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim aralığı ve 2.5V gate threshold voltajı ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumlu çalışır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.7mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok