Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RQ3E080BNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RQ3E080B
RQ3E080BNTB Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RQ3E080BNTB, 30V Drain-Source gerilimi ile 8A sürekli drenaj akımı destekleyen N-Channel MOSFET'tir. 8-PowerVDFN (3.2x3mm) yüzey montajlı paketinde sunulan bu FET, 10V gate geriliminde 15.2mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 2W maksimum güç yayılımı kapasitesi, 150°C işletme sıcaklığı ve 14.5nC gate yükü özellikleri ile güç dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol devrelerinde kullanıma uygundur. 4.5V ve 10V drive voltajları ile lojik seviye kontrolünü destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.2mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok